货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥5.532939 | ¥5.53 |
10 | ¥4.726 | ¥47.26 |
100 | ¥3.529145 | ¥352.91 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 @ 4.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 44 nC @ 8 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.4W(Ta),13W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® SC-75-6 |
封装/外壳: | PowerPAK® SC-75-6 |
标准包装: | 3,000 |
SIB457EDK-T1-GE3
型号:SIB457EDK-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
库存:0
单价:
1+: | ¥5.532939 |
10+: | ¥4.726 |
100+: | ¥3.529145 |
500+: | ¥2.77291 |
1000+: | ¥2.14269 |
3000+: | ¥1.953637 |
6000+: | ¥1.890611 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.53