SIB457EDK-T1-GE3

制造商编号:
SIB457EDK-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
规格说明书:
SIB457EDK-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.532939 5.53
10 4.726 47.26
100 3.529145 352.91

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 4.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 44 nC @ 8 V
Vgs(最大值): ±8V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),13W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SC-75-6
封装/外壳: PowerPAK® SC-75-6
标准包装: 3,000

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SIB457EDK-T1-GE3

型号:SIB457EDK-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

库存:0

单价:

1+: ¥5.532939
10+: ¥4.726
100+: ¥3.529145
500+: ¥2.77291
1000+: ¥2.14269
3000+: ¥1.953637
6000+: ¥1.890611

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