DMN6040SK3-13

制造商编号:
DMN6040SK3-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N CH 60V 20A TO252
规格说明书:
DMN6040SK3-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.132447 6.13
10 5.261594 52.62
100 3.931491 393.15

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1287 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 42W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRLR2705TRPBF Infineon Technologies ¥7.14000 类似

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DMN6040SK3-13

型号:DMN6040SK3-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N CH 60V 20A TO252

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1+: ¥6.132447
10+: ¥5.261594
100+: ¥3.931491
500+: ¥3.088793
1000+: ¥2.386798
2500+: ¥2.176152
5000+: ¥2.035779

货期:1-2天

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