货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥5.346435 | ¥5.35 |
10 | ¥4.297042 | ¥42.97 |
100 | ¥2.923878 | ¥292.39 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | TI(德州仪器) |
系列: | FemtoFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,8V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 @ 900mA,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 3.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | -12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 533 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 3-PICOSTAR |
封装/外壳: | 3-XFDFN |
标准包装: | 3,000 |
CSD25485F5
型号:CSD25485F5
品牌:TI德州仪器
描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 3PICOSTAR
库存:0
单价:
1+: | ¥5.346435 |
10+: | ¥4.297042 |
100+: | ¥2.923878 |
500+: | ¥2.193207 |
1000+: | ¥1.644899 |
3000+: | ¥1.507844 |
6000+: | ¥1.45382 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.35