库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥12.164856 | ￥30412.14 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | TI(德州仪器) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 15 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | +2V，-15V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 791mW（Ta） |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SOIC |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装: | 2,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDS6375 | onsemi | ¥7.45000 | 类似 |
TPS1101DR
型号：TPS1101DR
品牌：TI德州仪器
描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
库存：0
单价：
| 2500+： | ￥12.164856 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00