FDC637BNZ

制造商编号:
FDC637BNZ
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC637BNZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.960994 4.96
10 4.058317 40.58
100 2.762366 276.24

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 895 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTGS3130NT1G onsemi ¥6.99000 类似

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型号:FDC637BNZ

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

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10+: ¥4.058317
100+: ¥2.762366
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