库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.443286 | ￥7.44 |
| 10 | ￥6.51316 | ￥65.13 |
| 100 | ￥4.994183 | ￥499.42 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 28 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1100 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.15000 | 类似 |
| NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥5.53000 | 类似 |
SIS406DN-T1-GE3
型号：SIS406DN-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.443286 |
| 10+： | ￥6.51316 |
| 100+： | ￥4.994183 |
| 500+： | ￥3.948087 |
| 1000+： | ￥3.158472 |
| 3000+： | ￥2.96106 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.44