货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥7.443286 | ¥7.44 |
10 | ¥6.51316 | ¥65.13 |
100 | ¥4.994183 | ¥499.42 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 28 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1100 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.15000 | 类似 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | ¥3.61000 | 类似 |
RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.15000 | 类似 |
NTTFS4C13NTAG | onsemi | ¥5.53000 | 类似 |
SIS406DN-T1-GE3
型号:SIS406DN-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
库存:0
单价:
1+: | ¥7.443286 |
10+: | ¥6.51316 |
100+: | ¥4.994183 |
500+: | ¥3.948087 |
1000+: | ¥3.158472 |
3000+: | ¥2.96106 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥7.44