ZVN4206GTA

制造商编号:
ZVN4206GTA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
规格说明书:
ZVN4206GTA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.834954 9.83
10 8.785561 87.86
100 6.849405 684.94

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 100 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 1,000

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ZVN4206GTA

型号:ZVN4206GTA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

库存:0

单价:

1+: ¥9.834954
10+: ¥8.785561
100+: ¥6.849405
500+: ¥5.657921
1000+: ¥4.466797
2000+: ¥4.168964

货期:1-2天

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