FP75R12KT4B16BOSA1

制造商编号:
FP75R12KT4B16BOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IGBT MOD 1200V 150A 385W
规格说明书:
FP75R12KT4B16BOSA1说明书

库存 :9

货期: 国内(1~2天)

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
10 1983.885509 19838.86

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A
功率 - 最大值: 385 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.25V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
标准包装: 10

客服

购物车

FP75R12KT4B16BOSA1

型号:FP75R12KT4B16BOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IGBT MOD 1200V 150A 385W

库存:9

单价:

10+: ¥1983.885509

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00