库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4440.077581 | ￥4440.08 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Honeywell(霍尼韦尔) |
| 系列: | HTMOS™ |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 400 毫欧 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 290 pF @ 28 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 50W（Tj） |
| 工作温度: | -55°C ~ 225°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | 4-电源接片 |
| 封装/外壳: | 4-SIP |
| 标准包装: | 1 |
HTNFET-T
型号：HTNFET-T
品牌：Honeywell霍尼韦尔
描述：MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4440.077581 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4440.08