货期: 8周-10周
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4070.485654 | ¥4070.49 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Honeywell(霍尼韦尔) |
系列: | HTMOS™ |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 400 毫欧 @ 100mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 4.3 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 290 pF @ 28 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 50W(Tj) |
工作温度: | -55°C ~ 225°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | 4-电源接片 |
封装/外壳: | 4-SIP |
标准包装: | 1 |
HTNFET-T
型号:HTNFET-T
品牌:Honeywell霍尼韦尔
描述:MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
库存:0
单价:
1+: | ¥4070.485654 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4070.49