库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.694675 | ￥12.69 |
| 10 | ￥11.372986 | ￥113.73 |
| 100 | ￥8.86613 | ￥886.61 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.05 欧姆 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 180µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 390 pF @ 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 60W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装: | 2,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD7NM60N | STMicroelectronics | ¥15.90000 | 类似 |
| SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.05000 | 类似 |
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥23.35000 | 类似 |
| IPD80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | ¥12.44000 | 类似 |
| TSM70N900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥29.18000 | 类似 |
TK6P65W,RQ
型号：TK6P65W,RQ
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥12.694675 |
| 10+： | ￥11.372986 |
| 100+： | ￥8.86613 |
| 500+： | ￥7.324417 |
| 1000+： | ￥5.782356 |
| 2000+： | ￥5.396866 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.69