CSD87353Q5D

制造商编号:
CSD87353Q5D
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
规格说明书:
CSD87353Q5D说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 29.691365 29.69
10 26.718499 267.18
25 25.201354 630.03

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3190pF @ 15V
功率 - 最大值: 12W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerLDFN
供应商器件封装: 8-LSON(5x6)
标准包装: 2,500

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CSD87353Q5D

型号:CSD87353Q5D

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

库存:0

单价:

1+: ¥29.691365
10+: ¥26.718499
25+: ¥25.201354
100+: ¥21.473646
250+: ¥20.162725
500+: ¥17.642415
1000+: ¥16.643776
2500+: ¥16.643776

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥29.69