QS8K11TCR

制造商编号:
QS8K11TCR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
规格说明书:
QS8K11TCR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.019653 8.02
10 7.037401 70.37
100 5.393931 539.39

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.3nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
标准包装: 3,000

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QS8K11TCR

型号:QS8K11TCR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

库存:0

单价:

1+: ¥8.019653
10+: ¥7.037401
100+: ¥5.393931
500+: ¥4.264391
1000+: ¥3.411511
3000+: ¥3.091694
6000+: ¥2.907528

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥8.02