PZM9.1NB2,115

制造商编号:
PZM9.1NB2,115
制造商:
NXP恩智浦
描述:
DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3
规格说明书:
PZM9.1NB2,115说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SMT3; MPAK
标准包装: 9,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
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BZX84C9V1LT3G onsemi ¥0.12752 类似
BZX84-B9V1,215 Nexperia USA Inc. ¥1.69000 类似
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BZX84B9V1LT1G onsemi ¥1.61000 类似

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PZM9.1NB2,115

型号:PZM9.1NB2,115

品牌:NXP恩智浦

描述:DIODE ZENER 9.1V 300MW SMT3

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