货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 39 毫欧 @ 4.4A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC @ 8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 520pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 8.3W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | PowerPAK® CHIPFET™ 双 |
供应商器件封装: | PowerPAK® ChipFet 双 |
标准包装: | 3,000 |
SI5517DU-T1-E3
型号:SI5517DU-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
库存:0
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00