库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 300 | ￥42.635631 | ￥12790.69 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, Ultra X |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 47 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1910 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 400W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263（IXFA） |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | ¥40.86000 | 类似 |
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥26.65000 | 类似 |
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥24.42000 | 类似 |
| STB30N80K5 | STMicroelectronics | ¥64.05000 | 类似 |
| STB28NM60ND | STMicroelectronics | ¥68.04000 | 类似 |
IXFA24N60X
型号：IXFA24N60X
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
库存：0
单价：
| 300+： | ￥42.635631 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00