货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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2500 | ¥7.953533 | ¥19883.83 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.8 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 79.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6968 pF @ 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.03W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI5060-8(K 类) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 2,500 |
DMTH41M8SPS-13
型号:DMTH41M8SPS-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
库存:0
单价:
2500+: | ¥7.953533 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00