库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.447708 | ￥7.45 |
| 10 | ￥6.550005 | ￥65.50 |
| 100 | ￥5.022541 | ￥502.25 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.8A，4.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 608pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 1.8W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 标准包装: | 500 |
ZXMC3F31DN8TA
型号：ZXMC3F31DN8TA
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
库存：0
单价：
| 1+： | ￥7.447708 |
| 10+： | ￥6.550005 |
| 100+： | ￥5.022541 |
| 500+： | ￥3.970288 |
| 1000+： | ￥3.17623 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.45