BZD27C160P R3G

制造商编号:
BZD27C160P R3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 162V 1W SUB SMA
规格说明书:
BZD27C160P R3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 162 V
容差: ±5.55%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 350 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 120 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
标准包装: 1,800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
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BZD27C160P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.38000 类似

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BZD27C160P R3G

型号:BZD27C160P R3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 162V 1W SUB SMA

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