库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.598162 | ￥10794.49 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 869pF @ 30V |
| 功率 - 最大值: | 1.9W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装: | V-DFN3030-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
DMT6018LDR-7
型号：DMT6018LDR-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
库存：0
单价：
| 3000+： | ￥3.598162 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00