- 制造商编号：
- CMPDM7002AHC TR PBFREE
- 制造商：
- Central美国中央
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
- 规格说明书：
- CMPDM7002AHC TR PBFREE说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.589792 | ￥6.59 |
| 10 | ￥5.623704 | ￥56.24 |
| 100 | ￥4.202422 | ￥420.24 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Central(美国中央) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 220 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 240 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 350mW（Ta） |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
CMPDM7002AHC TR PBFREE
型号：CMPDM7002AHC TR PBFREE
品牌：Central美国中央
描述：MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.589792 |
| 10+： | ￥5.623704 |
| 100+： | ￥4.202422 |
| 500+： | ￥3.302207 |
| 1000+： | ￥2.551667 |
| 3000+： | ￥2.326532 |
| 6000+： | ￥2.176434 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.59