DMG4800LSD-13

制造商编号:
DMG4800LSD-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
规格说明书:
DMG4800LSD-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.818911 5.82
10 4.964725 49.65
100 3.705826 370.58

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.56nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 798pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.17W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SI4922BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix ¥13.21000 类似

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DMG4800LSD-13

型号:DMG4800LSD-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

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1+: ¥5.818911
10+: ¥4.964725
100+: ¥3.705826
500+: ¥2.911544
1000+: ¥2.24983
2500+: ¥2.05134
5000+: ¥1.918972

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