- 制造商编号：
- HS1J R3G
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- 规格说明书：
- HS1J R3G说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1800 | ￥1.939848 | ￥3491.73 |
| 1800 | ￥1.939768 | ￥3491.58 |
| 3600 | ￥1.768687 | ￥6367.27 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| 二极管类型: | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V @ 1 A |
| 速度: | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 75 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 5 µA @ 600 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 20pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装: | DO-214AC（SMA） |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装: | 1,800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CMR1U-06M TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | ¥10.21000 | 类似 |
| RS1J-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥3.84000 | 类似 |
| GS1J-LTP | Micro Commercial Co | ¥2.23000 | 类似 |
| S1J-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ¥3.00000 | 类似 |
| CSFA105-G | Comchip Technology | ¥3.30000 | 类似 |
HS1J R3G
型号：HS1J R3G
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
库存：0
单价：
| 1800+： | ￥1.939848 |
| 1800+： | ￥1.939768 |
| 3600+： | ￥1.768687 |
| 3600+： | ￥1.768607 |
| 5400+： | ￥1.654587 |
| 5400+： | ￥1.654507 |
| 12600+： | ￥1.556034 |
| 12600+： | ￥1.555966 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00