STD4NK60Z-1

制造商编号:
STD4NK60Z-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
规格说明书:
STD4NK60Z-1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.400768 8.40
10 7.431887 74.32
100 5.695994 569.60

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH™
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STU5N62K3 STMicroelectronics ¥14.74000 直接

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STD4NK60Z-1

型号:STD4NK60Z-1

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

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1+: ¥8.400768
10+: ¥7.431887
100+: ¥5.695994
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