TP0610T-G

制造商编号:
TP0610T-G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
规格说明书:
TP0610T-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.305625 8.31
25 6.932461 173.31
100 6.407392 640.74

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 10 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 1mA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 60 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 360mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB(SOT23)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NDS0610 onsemi ¥3.00000 直接

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TP0610T-G

型号:TP0610T-G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB

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1+: ¥8.305625
25+: ¥6.932461
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