CEFB103-G

制造商编号:
CEFB103-G
制造商:
Comchip台湾典琦
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
规格说明书:
CEFB103-G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Comchip(台湾典琦)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: 150°C(最大)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ER1D-LTP Micro Commercial Co ¥3.30000 类似

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型号:CEFB103-G

品牌:Comchip台湾典琦

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