- 制造商编号：
- SIHH11N65EF-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
- 规格说明书：
- SIHH11N65EF-T1-GE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥45.457132 | ￥45.46 |
| 10 | ￥40.857954 | ￥408.58 |
| 100 | ￥33.479128 | ￥3347.91 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 382毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1243 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 130W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 8 x 8 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 3,000 |
SIHH11N65EF-T1-GE3
型号：SIHH11N65EF-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥45.457132 |
| 10+： | ￥40.857954 |
| 100+： | ￥33.479128 |
| 500+： | ￥28.500503 |
| 1000+： | ￥25.753479 |
| 3000+： | ￥25.00335 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥45.46