库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.060463 | ￥5.06 |
| 10 | ￥3.809646 | ￥38.10 |
| 100 | ￥2.374812 | ￥237.48 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Goford Semiconductor |
| 系列: | - |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 59 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 650 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.4W（Ta） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 标准包装: | 3,000 |
G3035L
型号：G3035L
品牌：Goford Semiconductor
描述：P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
库存：0
单价：
| 1+： | ￥5.060463 |
| 10+： | ￥3.809646 |
| 100+： | ￥2.374812 |
| 500+： | ￥1.624844 |
| 1000+： | ￥1.249959 |
| 3000+： | ￥1.124965 |
| 6000+： | ￥1.062461 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.06