IXTA90N055T2

制造商编号:
IXTA90N055T2
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 55V 90A TO263
规格说明书:
IXTA90N055T2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
50 24.115904 1205.80

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: TrenchT2™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2770 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BUK969R0-60E,118 Nexperia USA Inc. ¥13.75000 类似
PSMN015-60BS,118 Nexperia USA Inc. ¥11.75000 类似
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. ¥12.52000 类似

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IXTA90N055T2

型号:IXTA90N055T2

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO263

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