FDC602P

制造商编号:
FDC602P
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
规格说明书:
FDC602P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.346435 5.35
10 4.545713 45.46
100 3.393494 339.35

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 5.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1456 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SuperSOT™-6
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage ¥5.38000 类似
PMN30XPX Nexperia USA Inc. ¥3.84000 类似

客服

购物车

FDC602P

型号:FDC602P

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

库存:0

单价:

1+: ¥5.346435
10+: ¥4.545713
100+: ¥3.393494
500+: ¥2.666528
1000+: ¥2.060578
3000+: ¥1.928335

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥5.35