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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Nexperia(安世) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 123 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7600 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 204W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装: | 800 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB140NF75T4 | STMicroelectronics | ¥33.64000 | 类似 |
| IRF3808STRLPBF | Infineon Technologies | ¥26.96000 | 类似 |
| IRFS3307TRLPBF | Infineon Technologies | ¥32.25000 | 类似 |
| IPB100N08S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | ¥10.83887 | 类似 |
| IPB80N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | ¥33.18000 | 类似 |
BUK6607-75C,118
型号：BUK6607-75C,118
品牌：Nexperia安世
描述：MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
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货期：1-2天
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