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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 38.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 21.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1000 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.2W（Ta），19.8W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
SISA18DN-T1-GE3
型号：SISA18DN-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
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货期：1-2天
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