- 制造商编号：
- IMW65R107M1HXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 规格说明书：
- IMW65R107M1HXKSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥118.976831 | ￥118.98 |
| 10 | ￥107.439722 | ￥1074.40 |
| 100 | ￥88.954236 | ￥8895.42 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 标准包装: | 30 |
IMW65R107M1HXKSA1
型号：IMW65R107M1HXKSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存：0
单价：
| 1+： | ￥118.976831 |
| 10+： | ￥107.439722 |
| 100+： | ￥88.954236 |
| 500+： | ￥83.290073 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥118.98