货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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300 | ¥49.368857 | ¥14810.66 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 120 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 240 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2V @ 15V,80A |
功率 - 最大值: | 469 W |
开关能量: | 2.1mJ(开),1.5mJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 414 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 84ns/280ns |
测试条件: | 400V,80A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr): | 85 ns |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装: | TO-3P |
标准包装: | 30 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IXXH60N65B4 | IXYS | ¥59.29000 | 类似 |
IXXH60N65B4H1 | IXYS | ¥95.53000 | 类似 |
STGWT80H65DFB
型号:STGWT80H65DFB
品牌:ST意法半导体
描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
库存:0
单价:
300+: | ¥49.368857 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00