STGWT80H65DFB

制造商编号:
STGWT80H65DFB
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
规格说明书:
STGWT80H65DFB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
300 49.368857 14810.66

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V @ 15V,80A
功率 - 最大值: 469 W
开关能量: 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 414 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 84ns/280ns
测试条件: 400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 85 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXXH60N65B4 IXYS ¥59.29000 类似
IXXH60N65B4H1 IXYS ¥95.53000 类似

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STGWT80H65DFB

型号:STGWT80H65DFB

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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