APT80SM120S

制造商编号:
APT80SM120S
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
规格说明书:
APT80SM120S说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 235 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D3Pak
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1

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APT80SM120S

型号:APT80SM120S

品牌:Microsemi美高森美

描述:SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK

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