APT200GN60JDQ4G

制造商编号:
APT200GN60JDQ4G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
规格说明书:
APT200GN60JDQ4G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: Digi-Key 停止提供
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 283 A
功率 - 最大值: 682 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.85V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14.1 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: ISOTOP
供应商器件封装: ISOTOP®
标准包装: 30

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APT200GN60JDQ4G

型号:APT200GN60JDQ4G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP

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