货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥27.68956 | ¥27.69 |
10 | ¥24.903197 | ¥249.03 |
100 | ¥20.01668 | ¥2001.67 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A(Ta),111A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.2 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 98µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2546pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 3.5W(Ta),125W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道) |
标准包装: | 1,500 |
NVMFD5C650NLWFT1G
型号:NVMFD5C650NLWFT1G
品牌:ON安森美
描述:MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
库存:0
单价:
1+: | ¥27.68956 |
10+: | ¥24.903197 |
100+: | ¥20.01668 |
500+: | ¥16.44546 |
1500+: | ¥14.950411 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.69