APT75GN60B2DQ3G

制造商编号:
APT75GN60B2DQ3G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT 600V 155A 536W TO264
规格说明书:
APT75GN60B2DQ3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 155 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.85V @ 15V,75A
功率 - 最大值: 536 W
开关能量: 2500µJ(开),2140µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 485 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 47ns/385ns
测试条件: 400V,75A,1 欧姆,15V
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装: -
标准包装: 30

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APT75GN60B2DQ3G

型号:APT75GN60B2DQ3G

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT 600V 155A 536W TO264

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