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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | SIPMOS® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 20 欧姆 @ 190mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 230 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | - |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 1,000 |
BSP300 E6327
型号：BSP300 E6327
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
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