货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥194.243543 | ¥194.24 |
10 | ¥179.162055 | ¥1791.62 |
100 | ¥152.995885 | ¥15299.59 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | GenX4™, XPT™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
IGBT 类型: | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 370 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 1000 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 1.7V @ 15V,160A |
功率 - 最大值: | 1150 W |
开关能量: | 4.4mJ(开),2.2mJ(关) |
输入类型: | 标准 |
栅极电荷: | 553 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 62ns/245ns |
测试条件: | 400V,100A,1 欧姆,15V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装: | TO-264(IXXK) |
标准包装: | 25 |
IXXK200N65B4
型号:IXXK200N65B4
品牌:IXYS艾赛斯
描述:IGBT 650V 370A 1150W TO264
库存:0
单价:
1+: | ¥194.243543 |
10+: | ¥179.162055 |
100+: | ¥152.995885 |
500+: | ¥142.436792 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥194.24