IXXK200N65B4

制造商编号:
IXXK200N65B4
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
IGBT 650V 370A 1150W TO264
规格说明书:
IXXK200N65B4说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 194.243543 194.24
10 179.162055 1791.62
100 152.995885 15299.59

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: GenX4™, XPT™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: PT
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 370 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 1000 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V @ 15V,160A
功率 - 最大值: 1150 W
开关能量: 4.4mJ(开),2.2mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 553 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 62ns/245ns
测试条件: 400V,100A,1 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装: TO-264(IXXK)
标准包装: 25

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IXXK200N65B4

型号:IXXK200N65B4

品牌:IXYS艾赛斯

描述:IGBT 650V 370A 1150W TO264

库存:0

单价:

1+: ¥194.243543
10+: ¥179.162055
100+: ¥152.995885
500+: ¥142.436792

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