库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 4000 | ￥17.790034 | ￥71160.14 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A，28A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.6 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1060pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 2.4W，3.4W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 18-PowerVQFN |
| 供应商器件封装: | PQFN（5x6） |
| 标准包装: | 4,000 |
IRFH7911TRPBF
型号：IRFH7911TRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
库存：0
单价：
| 4000+： | ￥17.790034 |
货期：1-2天
+ -
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