DMN2019UTS-13

制造商编号:
DMN2019UTS-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
规格说明书:
DMN2019UTS-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.202547 4.20
10 3.552271 35.52
100 2.655562 265.56

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18.5 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 143pF @ 10V
功率 - 最大值: 780mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-TSSOP
标准包装: 2,500

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DMN2019UTS-13

型号:DMN2019UTS-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

库存:0

单价:

1+: ¥4.202547
10+: ¥3.552271
100+: ¥2.655562
500+: ¥2.086627
1000+: ¥1.612435
2500+: ¥1.470145
5000+: ¥1.375314

货期:1-2天

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