IRLL110TRPBF

制造商编号:
IRLL110TRPBF
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
规格说明书:
IRLL110TRPBF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.362478 9.36
10 8.221076 82.21
100 6.305809 630.58

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 @ 900mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.1 nC @ 5 V
Vgs(最大值): ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta),3.1W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
ZVN4310GTA Diodes Incorporated ¥13.44000 类似

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IRLL110TRPBF

型号:IRLL110TRPBF

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

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1+: ¥9.362478
10+: ¥8.221076
100+: ¥6.305809
500+: ¥4.984917
1000+: ¥3.987956
2500+: ¥3.738675

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