NSVMSB1218A-RT1G

制造商编号:
NSVMSB1218A-RT1G
制造商:
ON安森美
描述:
TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
规格说明书:
NSVMSB1218A-RT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
9000 0.408275 3674.47

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 210 @ 2mA,10V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70-3(SOT323)
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BC857BW-G Comchip Technology ¥2.00000 类似
BC860CW,115 Nexperia USA Inc. ¥1.61000 类似
BC857CW,115 Nexperia USA Inc. ¥1.23000 类似
BC860CWH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥0.37784 类似

客服

购物车

NSVMSB1218A-RT1G

型号:NSVMSB1218A-RT1G

品牌:ON安森美

描述:TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3

库存:0

单价:

9000+: ¥0.408275

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00