SI6926ADQ-T1-E3

制造商编号:
SI6926ADQ-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
规格说明书:
SI6926ADQ-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.64845 9.65
10 8.659982 86.60
100 6.751802 675.18

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 830mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-TSSOP
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated ¥3.46000 类似

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SI6926ADQ-T1-E3

型号:SI6926ADQ-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP

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1+: ¥9.64845
10+: ¥8.659982
100+: ¥6.751802
500+: ¥5.577874
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3000+: ¥4.403535

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