ZXMP3A16N8TA

制造商编号:
ZXMP3A16N8TA
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO
规格说明书:
ZXMP3A16N8TA说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 9.449513 9.45
10 8.459801 84.60
100 6.595139 659.51

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.9W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7406TRPBF Infineon Technologies ¥9.60000 类似

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型号:ZXMP3A16N8TA

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET P-CH 30V 5.6A 8SO

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10+: ¥8.459801
100+: ¥6.595139
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