IXFK120N30P3

制造商编号:
IXFK120N30P3
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
规格说明书:
IXFK120N30P3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 158.964876 158.96
10 146.108395 1461.08
100 123.397824 12339.78

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: HiPerFET™, Polar3™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 27 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 8630 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1130W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

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IXFK120N30P3

型号:IXFK120N30P3

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

库存:0

单价:

1+: ¥158.964876
10+: ¥146.108395
100+: ¥123.397824
500+: ¥109.770684
1000+: ¥103.232709

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