ATP113-TL-H

制造商编号:
ATP113-TL-H
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
规格说明书:
ATP113-TL-H说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.082516 12.08
10 10.767118 107.67
100 8.393929 839.39

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 29.5 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 55 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: ATPAK
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
标准包装: 3,000

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ATP113-TL-H

型号:ATP113-TL-H

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK

库存:0

单价:

1+: ¥12.082516
10+: ¥10.767118
100+: ¥8.393929
500+: ¥6.933996
1000+: ¥5.805911
3000+: ¥5.805911

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.08