PMV16XNR

制造商编号:
PMV16XNR
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
规格说明书:
PMV16XNR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.817106 3.82
10 3.113366 31.13
100 2.11781 211.78

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 @ 6.8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 510mW(Ta),6.94W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSR802NL6327HTSA1 Infineon Technologies ¥5.53000 类似

客服

购物车

PMV16XNR

型号:PMV16XNR

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB

库存:0

单价:

1+: ¥3.817106
10+: ¥3.113366
100+: ¥2.11781
500+: ¥1.588115
1000+: ¥1.191086
3000+: ¥1.091842
6000+: ¥1.025658

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥3.82