货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.320978 | ¥8.32 |
10 | ¥7.291684 | ¥72.92 |
100 | ¥5.591925 | ¥559.19 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),24A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V,20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 10 毫欧 @ 11A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 25µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 48 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1543 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.8W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PQFN(3x3) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 4,000 |
IRFHM9331TRPBF
型号:IRFHM9331TRPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
库存:0
单价:
1+: | ¥8.320978 |
10+: | ¥7.291684 |
100+: | ¥5.591925 |
500+: | ¥4.420286 |
1000+: | ¥3.683572 |
4000+: | ¥3.683572 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.32