SI8424CDB-T1-E1

制造商编号:
SI8424CDB-T1-E1
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
规格说明书:
SI8424CDB-T1-E1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.204351 6.20
10 5.319081 53.19
100 3.970412 397.04

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2340 pF @ 4 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta),2.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-UFBGA,WLCSP
标准包装: 3,000

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SI8424CDB-T1-E1

型号:SI8424CDB-T1-E1

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

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单价:

1+: ¥6.204351
10+: ¥5.319081
100+: ¥3.970412
500+: ¥3.119632
1000+: ¥2.410621
3000+: ¥2.197907
6000+: ¥2.127023

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